Indium Arsenide的折射率

Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

对于常见材料例如InAs, 它在632.8 纳米波长的折射率和消光系数分别为3.963和0.607。 下面列出的材料包含完整的折射率和消光系数， 如果你需要的材料无法下载，你可以点击“索取”来索取我们专有的材料文件。

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折射率引用 - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV" Phys. Rev. B 27, 985–1009 doi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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