Gallium Nitride的折射率

Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.

对于常见材料例如GaN, 它在632.8 纳米波长的折射率和消光系数分别为2.380和0.000。 下面列出的材料包含完整的折射率和消光系数， 如果你需要的材料无法下载，你可以点击“索取”来索取我们专有的材料文件。

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折射率引用 - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

Wikipedia: Gallium nitride
Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: numerical data and graphical

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